臺(tái)灣第三代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展在線(xiàn)技術(shù)論壇（第二期）

以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，在5G、電動(dòng)/混動(dòng)汽車(chē)、照明、可再生能源、服務(wù)器和工業(yè)電源等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用，而這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ζ骷男阅芎涂煽啃杂兄鴺O高的要求。本次直播將重點(diǎn)介紹如何確保向用戶(hù)交付的SiC和GaN器件既可靠又有出色的電性能。

主辦

中國(guó)電子信息博覽會(huì)（CITE2020）

協(xié)辦

上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)

《中國(guó)電子商情》雜志社

合作媒體

TechSugar、科鈦網(wǎng)、半導(dǎo)體商城

解讀基于第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件的電源測(cè)試設(shè)計(jì)方案

第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC& GaN為電源設(shè)計(jì)行業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了重大變革。GaN 技術(shù)將廣泛應(yīng)用于RF功率放大器，SiC則在電機(jī)、驅(qū)動(dòng)器和逆變器等較大功率設(shè)計(jì)中找到了用武之地。半導(dǎo)體研發(fā)工程師正在努力驗(yàn)證和檢定新器件。驅(qū)動(dòng)器制造商正在研發(fā)新的電路驅(qū)動(dòng)器來(lái)滿(mǎn)足更快開(kāi)關(guān)速度、EMI 管理和更復(fù)雜拓?fù)渚W(wǎng)絡(luò)的要求。本次直播將為您解讀基于全新第三代寬禁帶半導(dǎo)體的電源設(shè)計(jì)的全新測(cè)試解決方案，半導(dǎo)體廠(chǎng)家如何標(biāo)定這些器件的靜態(tài)參數(shù)，如何驗(yàn)證它的動(dòng)態(tài)參數(shù)，如何優(yōu)化橋式電路設(shè)計(jì)及最終產(chǎn)品級(jí)別的評(píng)價(jià)。

演講嘉賓：泰克科技華東區(qū)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理 黃正峰

黃正峰先生畢業(yè)于浙江大學(xué)信息工程專(zhuān)業(yè)，泰克資深技術(shù)專(zhuān)家，專(zhuān)攻功率電子領(lǐng)域新技術(shù)與方案。鉆研測(cè)試測(cè)量技術(shù)超過(guò)14載，對(duì)光伏、儲(chǔ)能、鋰電、微網(wǎng)、EV、物聯(lián)網(wǎng)、光通信等多個(gè)應(yīng)用方向的電測(cè)技術(shù)進(jìn)行了深入的研究，對(duì)各行業(yè)中的電源測(cè)試有著深刻的理解和豐富的經(jīng)驗(yàn)。

碳化硅功率器件技術(shù)及可靠性探討

演講摘要：重點(diǎn)介紹SiC在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中需要重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù)點(diǎn)，以確保交付給客戶(hù)高質(zhì)量的產(chǎn)品。

1）SiC器件的襯底和外延片的技術(shù)要點(diǎn)；

2） SiC芯片設(shè)計(jì)時(shí)可靠性驗(yàn)證的方法；

3）芯片封裝和測(cè)試的技術(shù)要點(diǎn)。

演講嘉賓：基本半導(dǎo)體技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān) 魏煒

魏煒先生畢業(yè)于華中科技大學(xué)，電力電子技術(shù)碩士。曾供職于艾默生網(wǎng)絡(luò)能源有限公司，之后加入國(guó)內(nèi)知名代理商晶川電子，任技術(shù)支持總監(jiān)。于2010年加入CONCEPT，被PI收購(gòu)后任中國(guó)區(qū)IGBT驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品線(xiàn)技術(shù)總監(jiān)。2019年加入基本半導(dǎo)體。